دانشمندان دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین حافظه فلش جهان شده‌اند. این حافظه جدید با نام PoX، داده‌ها را با سرعتی بی‌سابقه ذخیره می‌کند. در این مقاله، به بررسی ویژگی‌ها و اهمیت این دستاورد می‌پردازیم.
حافظه PoX: انقلابی در سرعت ذخیره‌سازی داده‌ها
حافظه PoX قادر است در هر ثانیه ۲۵ میلیارد عملیات نوشتن بیت انجام دهد. این سرعت معادل ۴۰۰ پیکوثانیه برای هر بیت است. برای مقایسه، حافظه‌های فلش فعلی برای نوشتن یک بیت به چند میکروثانیه زمان نیاز دارند. این پیشرفت، PoX را به سریع‌ترین حافظه نیمه‌هادی تبدیل کرده است.
تیم تحقیقاتی دانشگاه فودان با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با لایه‌های دوبعدی گرافن، به این سرعت دست یافته‌اند. گرافن به دلیل ساختار خاص خود، امکان انتقال بالستیک بار الکتریکی را فراهم می‌کند. این ویژگی باعث شده تا محدودیت‌های سنتی حافظه‌های فلش کنار گذاشته شود.
در سیستم‌های هوش مصنوعی، سرعت دسترسی به داده‌ها نقش حیاتی دارد. حافظه PoX با ترکیب سرعت بالا و مصرف انرژی پایین، می‌تواند عملکرد این سیستم‌ها را بهبود بخشد. همچنین، در دستگاه‌های قابل حمل مانند تلفن‌های هوشمند و لپ‌تاپ‌ها، این حافظه می‌تواند زمان راه‌اندازی را کاهش داده و عمر باتری را افزایش دهد.
حافظه PoX نشان‌دهنده جهشی بزرگ در فناوری ذخیره‌سازی است. با ادامه تحقیقات و توسعه، این فناوری می‌تواند به استاندارد جدیدی در صنعت تبدیل شود. همچنین، استفاده از مواد دوبعدی مانند گرافن در ساخت حافظه‌ها، افق‌های جدیدی را برای طراحی و عملکرد آن‌ها باز می‌کند.
در نهایت، حافظه PoX با سرعت بی‌نظیر خود، می‌تواند نقش مهمی در پیشرفت فناوری‌های نوین ایفا کند. این دستاورد نه تنها برای چین، بلکه برای جامعه جهانی فناوری اهمیت دارد.
