شرکت سامسونگ، بزرگترین تولید کننده تراشههای حافظه در جهان که اخیراً به دلیل شیوع ویروس کرونا با مشکلاتی روبرو شده بود، به زودی اولین ماژول DRAM DDR5 512 گیگابایتی جهان را با استفاده از فناوری فرایند HKMG (High-K Metal Gate) تولید میکند. سرعت این ماژول جدید تا دو برابر ماژول DDR4 است و به 7200 مگابیت بر ثانیه میرسد.
معمولاً از فرایند HKMG در تولید تراشههای منطقی (پردازنده) استفاده میشود اما سامسونگ اولین برندی است که از این فرایند برای تولید تراشههای DRAM استفاده میکند. جدیدترین ماژول رم DDR5 این کمپانی برای سیستمهایی که پردازشهای سنگین اجرا میکنند مثل ابرکامپیوتر و سرورهایی که روی هوش مصنوعی، یادگیری ماشینی، تحلیل دیتا و مطالعات پزشکی کار میکنند مناسب است. در طراحی این ماژولها از فناوری through-silicon via (TSV) برای قرار دادن 8 لایه تراشه DRAM 16 گیگابایتی روی هم استفاده شده تا مجموعاً به ظرفیت 512 گیگابایت برسد.
به دلیل کاهش مقیاس ساختارهای DRAM، لایه عایق ظریف تر شده و این موضوع منجر به نشت بیشتر جریان میشود. با روش جدید سامسونگ، لایه عایق با HKMG جابجا میشود در نتیجه سرعت افزایش یافته و نشت جریان کمتر میشود. ماژولهای DDR5 ساخته شده با این فرایند 13 درصد کمتر انرژی مصرف میکنند در نتیجه برای دیتاسنترهایی که بحث مصرف انرژی در آنها اهمیت دارد، مناسب تر هستند.
این شرکت کرهای در سال 2018 از فرایند HKMG برای تولید حافظه GDDR6 جی پی یوهای خودش استفاده کرده بود. بخش Samsung Semiconductor (تولید نیمههادیهای شرکت سامسونگ)، در حال نمونه سازی از ماژولهای حافظه DDR5 در نسخههای مختلف برای مشتریان خودش است. طی چند هفته آینده این ماژولها تأیید رسمی برای استفاده نهایی را کسب میکنند.
یانگ سو سن مدیر بخش طراحی و توانمندسازی حافظههای DRAM در شرکت سامسونگ میگوید: “سامسونگ تنها شرکت تولید کننده نیمههادی با قابلیتهای لازم در زمینه حافظه و منطق و تخصص لازم برای استفاده از فناوری HKMG در فرایند تولید حافظه است. ما با استفاده از این ابتکار در فرایند تولید DRAM توانستیم حافظههایی با سرعت بالا ولی با بهره وری انرژی تولید کنیم که امکان استفاده از آنها در کامپیوترهای مورد استفاده برای تحقیقات پزشکی، بازارهای مالی، خودروهای مستقل، شهرهای هوشمند و غیره وجود دارد.”
