پردازنده Snapdragon 835 اولین پردازنده نسل جدید موبایل با معماری 10 نانومتری برای گوشی های پرچمدار توسط سامسونگ بصورت آزمایشی تولید شد . این پردازنده که در آزمایشگاه های الکترونیک سامسونگ تولید شده از تکنولوژی پردازش FinFET process پشتیبانی می نماید .
پردازنده قدرتمند و نسل جدید Snapdragon 835 در مقایسه با پردازنده 14 نانومتری کنونی کوالکام Snapdragon 821 که توسط سامسونگ شاخته شده است ، دارای 30 درصد واحد پردازشی بیشتر ، 27 درصد کارایی پردازشی بیشتر و همچنین 40 درصد مصرق انرژی کمتر می باشد . بنابراین با مجموع 40 درصد قدرت پردازشی بیشتر و 40 درصد مصرف انرژی کمتر ، گوشی های آینده و پرچمدار سامسونگ ، قدرتمند تر و دارای طول عمر باتری بیشتری خواهند بود .
به صورت همزمان کمپانی اینتل نیز اعلام کرده تحقیقات گسترده ای جهت تولید پردازنده های 10 نانومتری آغاز نموده است اما سامسونگ اعلام نموده که خودش اولین کمپانی تولید کننده پردازنده های قدرتمند و کم مصرف 10 نانومتری است .
مدیر بخش تحقسقات سامسونگ اعلام نموده که برای ما بسیار حیاتی هست که همیشه اولین باشیم و همیشه قدرتمند ترین زیرساخت ها را در اختیار مشتریان خود قرار دهیم و این حاکب از توجه و تعهد بالای سامسونگ نسبت به مشتریان و جامعه فناوری جهانی است . به نظر می رسد این اظهارات از سوی مقامات سامسونگ بی ارتباط با مشکلات اخیر انفجار های نوت 7 نباشد .
پردازنده قدرتمند و نسل جدید Snapdragon 835 در تولید گوشی پرچمدار بعدی سامسونگ Samsung Galaxy S8 مورد استفاده قرار خواهد گرفت . گوشی گلکسی اس 8 در نیمه اول سال 2017 به بازارهای جهانی عرضه خواهد شد .
چیپست پردازنده Snapdragon 835 از فناری شارژ سریع Quick Charge 4 بهره می برد که به مقدار 20 درصد گوشی سریع تر شارژ خواهد شد . در نهایت توسط این فناوری ، توسط 5 دقیقه شارژ بیشتر ، شما 5 ساعت باتری اضافه خواهید داشت و این یک نتیجه لذت بهش به شمار می رود . همچنین طی 15 دقیقه ، شما نصف باتری را شارژ شده خواهید یافت .
