غول فناوری چین یعنی هوآوی در حال کار روی جدیدترین چیپ Hisilicon خود است که از فرآیند ساخت 5 نانومتری استفاده میکند. یکی از منابع اطلاعاتی ادعا کرده است تولید پردازنده 5 نانومتری کرین در شهرهای پکن، دونوگوان و سایر مکانها تایید شده است. این گزارش میگوید هوآوی در ماه آگوست تولید انبوه و تحویل این چیپ را شروع خواهد کرد.
براساس گزارشهای قبلی، هوآوی از فرآیند 5 نانومتری برای تولید انبوه چیپ کرین 1020 استفاده خواهد کرد. این پردازنده انتظار میرود سه ماهه سوم سال جاری میلادی وارد بازار شود. چیپست کرین 1020 هوآوی از معماری کورتکس A78 شرکت ARM استفاده خواهد کرد.
این چیپست به لطف فرآیند 5 نانومتری میتواند در هر میلیمتر مربع 171.3 میلیون ترانزیستور را جا دهد. عملکرد آن در مقایسه با کرین 990 پنجاه درصد بیشتر خواهد بود.
همچنین همانطور که قبلا گفتیم شرکت TSMC تولید انبوه چیپ 5 نانومتری خود را از بهار امسال شروع خواهد کرد. فرآیند 5 نانومتری نسل جدید فناوری تولید چیپ پس از فرآیند 7 نانومتری است که در سال 2018 به تولید انبوه رسید. گرچه مشخص نیست شرکت تایوانی قصد تولید انبوه این چیپ را برای چه شرکتی دارد.
چیپست کرین پرچمدار هوآوی پاییز امسال وارد بازار خواهد شد و احتمالا سری میت 40 اولین گوشیهای مجهز به کرین 1020 خواهند بود.
منبع: gizchina.com
